联发科3纳米芯片流片成功-sbobet利记官网

9月7日，联发科与台积电共同宣布，联发科首款采用台积电3纳米制程生产的天玑旗舰芯片日前已成功流片，预计将在明年量产。据介绍，相较于5纳米制程，台积电3纳米制程技术的逻辑密度增加约60%，在相同功耗下速度提升18%，或者在相同速度下功耗降低32%。联发科表示，首款采用台积电3纳米制程的天玑旗舰芯片将于2024年下半年上市。（界面新闻）