复旦团队研发超快闪存集成工艺-sbobet利记官网

人工智能的飞速发展迫切需要高速非易失存储技术。当前主流非易失闪存的编程速度普遍在百微秒级，无法支撑应用需求。复旦大学周鹏-刘春森团队研究表明二维半导体结构能够将其速度提升一千倍以上，实现颠覆性的纳秒级超快存储闪存技术。从界面工程出发，团队在国际上首次实现了最大规模1kb纳秒超快闪存阵列集成验证，并证明了其超快特性可延伸至亚10纳米。同时，研究团队研发了不依赖先进光刻设备的自对准工艺，结合原始创新的超快存储叠层电场设计理论，成功实现了沟道长度为8纳米的超快闪存器件，是当前国际最短沟道闪存器件，并突破了硅基闪存物理尺寸极限（约15纳米）。（财联社）